IGBTとは

パワーデバイスの世界で主要な役割を果たすこの素子は、MOSFETとバイポーラトランジスタの特性を一つのチップに結集させたもので、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとも呼ばれます。これはMOSFETの観点からバイポーラトランジスタを調節する構造を有しているため、それぞれの長所、つまりMOSFETの大電力制御の施行能力が一体となっています。これにより、汎用モーターやインバータ制御機器などで不可欠なスイッチング素子としての役割を果たすことが可能となります。’