磁気不揮発性メモリとは、巨大磁気抵抗（GMR）膜やトンネル型磁気抵抗（TMR）膜という、磁気抵抗効果を持つ材料を記憶素子として利用したメモリの一種です。これらのGMRやTMR膜は、スイッチング磁場によりその電気抵抗値が大きく変動します。この特性を用いて、電流のオンオフにより発生する磁場をスイッチさせることで、データの“0” “1”の状態を再現するのが可能となります。’
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