CMPとは

「化学的および機械的な研磨は、シリコンウェハの表面を平坦化し、プラズマエッチングやRIE（Reactive Ion Etching）などの材料の取り除きプロセスを行うために用いられます。さらに、銅のデュアルダマシン法を使用して配線を形成する際にも活用されています。この技術は、物理的な研磨だけでなく、シリコンウェハへの損傷を最小化するための化学反応も採用しています。このため、化学的機械平坦化、別名、Chemical Mechanical Planarizationとも呼ばれています。」