ガリウムアルセニド(GaAs) という単結晶を基盤にした集積回路（IC）をご紹介します。GaAsはⅢ-Ⅴ族化合物の半導体における代表的な素材として扱われ、その特性は電子がシリコン(Si)に対して5から6倍も迅速に動くというものです。これにより、超高速かつ超高周波のデバイスへの利用が適しています。
