これはゲート電極構造の一例で、プロセスの微細化に対応するために、ゲート抵抗を低抵抗化するのに使用されます。こうした構造は、ポリシリコン（または多結晶シリコン）と、CVDまたはスパッタリングによって形成されるシリサイド（ケイ素化合物）を一体化したものです。シリサイドとしては、タングステンシリサイド（WSi2）、コバルトシリサイド（CoSi2）、チタンシリサイド（TiSi2）などがあります。’
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これはゲート電極構造の一例で、プロセスの微細化に対応するために、ゲート抵抗を低抵抗化するのに使用されます。こうした構造は、ポリシリコン（または多結晶シリコン）と、CVDまたはスパッタリングによって形成されるシリサイド（ケイ素化合物）を一体化したものです。シリサイドとしては、タングステンシリサイド（WSi2）、コバルトシリサイド（CoSi2）、チタンシリサイド（TiSi2）などがあります。’
