「シリコン酸化膜（SiO2）といった絶縁膜上に、シリコン層を形成するという構造を用いて集積回路（IC）は作られます。その最初の手法としては、サファイヤの表面にシリコン単結晶を気相成長させて作った、SOS（Silicon on Sapphire）が挙げられます。また、レーザ光等を用いてサファイヤ基板上に薄く形成したシリコン層を単結晶化し、それによってICを製造するという方法や、酸化膜を使ってシリコン基板を接着する方法、さらには、シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入してシリコン酸化膜（SiO2）層を作り出すSIMOX（Separation by Implanted Oxygen）法などが実用化されています。これらSOIデバイスは、その低消費電力と高速性能から高い評価を受けています。」
