「シリコンICの素子間を分離する手法としては、局所酸化膜技術が利用されます。この技術では、IC素子を作るエリアを窒化膜(Si3N4)で覆った後、高温酸化処理を施します。その結果、窒化膜がない部分には酸化膜が形成されます。こうして作られた酸化膜は「LOCOS」と呼ばれ、素子同士を分離するのに用いられます。この技術は、素子間の距離を短縮可能なため、集積度を高めるのに非常に効果的です。」
LOCOSとは
Warning: Undefined array key "show_ad1_introduce" in /home/oinsight/by-intersect.jp/public_html/r31.by-intersect.jp/wp-content/themes/child_gensen_tcd050/single-introduce.php on line 111
Warning: Undefined array key "show_author_introduce" in /home/oinsight/by-intersect.jp/public_html/r31.by-intersect.jp/wp-content/themes/child_gensen_tcd050/single-introduce.php on line 171
- IC, LOCOS, 局所酸化膜技術, 素子間分離, 高集積化
Warning: Undefined array key "show_author_introduce" in /home/oinsight/by-intersect.jp/public_html/r31.by-intersect.jp/wp-content/themes/child_gensen_tcd050/single-introduce.php on line 173
Warning: Undefined array key "show_ad2_introduce" in /home/oinsight/by-intersect.jp/public_html/r31.by-intersect.jp/wp-content/themes/child_gensen_tcd050/single-introduce.php on line 212



