“縦型V溝MOSFETは、シリコン（Si）単結晶基板の表面にV型の溝を刻み、その溝の沿いにゲート酸化膜とゲート電極を配置します。ソース電極は基板の表面に、ドレイン電極は裏面に形成するのが特徴の一つです。効率的なエネルギー転送のため、オン抵抗は最小限に抑えられています。広範囲で利用されているパワーMOSFETの一種です。”
“縦型V溝MOSFETは、シリコン（Si）単結晶基板の表面にV型の溝を刻み、その溝の沿いにゲート酸化膜とゲート電極を配置します。ソース電極は基板の表面に、ドレイン電極は裏面に形成するのが特徴の一つです。効率的なエネルギー転送のため、オン抵抗は最小限に抑えられています。広範囲で利用されているパワーMOSFETの一種です。”
