マイクロ波集積回路のモノリシック型。これは、ガリウムひ素（GaAs）やシリコン（Si）のような半導体基板上に、マイクロ波で活発に活動する素子、受動的に動作する素子、およびそれらをつなぐ配線、すなわち集積したものです。その中の能動素子として一般的に用いられるのは、ガリウム砒素を基にしたMESFET（ショットキーゲート電界効果トランジスタ）、HEMT（高電子移動度トランジスタ）、そしてHBT（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）の各トランジスタです。
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