SiCとは

シリコンカーバイドという物質は、パワー半導体のメイン素材として注目を浴びています。シリコンと比べて、この物質は破壊電界強度が約10倍、飽和ドリフト速度が約2倍、熱伝導度が約2倍という特徴を持っており、高熱環境にも対応可能です。更に、高耐圧、低損失、高温時にも安定した動作を可能にするという物理的特性を持ち、これらの特徴は従来のシリコン半導体を遥かに超えるものとなっていることから、期待が寄せられています。’

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