GaNとは

窒化ガリウムは、硅と比べてその持つ特性が大変優れています。壊れるまでの電界の強さがおおよそ10倍、電子の最大移動速度が2倍以上となります。これにより、より高い耐圧性、効率的な損失低減、高周波での動作といった特性を硅よりも優位に発揮できます。

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