“イオン注入という手法があります。これは、原子をイオン化した後に加速し、固体物質の中に打ち込む技術を指します。打ち込まれた原子は通常、不純物原子と称されます。この手法は、物質の性質を変化させる一つの方法として用いられます。特に半導体技術では、MOSトランジスタのソースやドレイン領域をp型またはn型に変換するため、あるいは特定の部分を低抵抗化するためにこの手法が用いられます（不純物注入）。イオン注入は、熱拡散を通じて不純物を導入する方法と比較し、イオンの濃度や分布をより容易に制御できるという利点があります。”
