半導体デバイスやその他の金属配線の中で電流が流れた際、電子と原子間の衝突が運動エネルギーの転送を引き起こし、それによって原子は電子の流れに沿った方向へ移動します。この現象は、電流密度が増えると配線の断線を引き起こす可能性があることを示しています。実際に、配線の耐用年数は電流密度の2〜3乗に逆比例することがわかっています。これは、デバイスの小型化が電流密度の増加に繋がり、結果として寿命を大幅に縮めるリスクがあることを意味しています。さらに、金属配線が熱から引き起こされるストレスで断線することも懸念されており、これをストレスマイグレーションと呼んでいます。’
