シリコン（Si）とゲルマニウム（Ge）から成る混晶半導体は、Siに比べて狭い禁制帯幅と高い電子移動度という特性を持っています。それらの特性は、シリコン製のバイポーラトランジスタよりも高速に動作することを可能にします。
