“代表例としては、金属-絶縁体-半導体(MIS)構造が挙げられます。これは、金属に電圧を適用することで、半導体内に存在する僅かなキャリヤが接合面に引き寄せられ、電場効果により反転現象を引き起こすコンポーネントです。この原理は、MOSFETのゲートなどに応用されています。反転層が形成されると、キャリヤがソースとドレインの間を移動する道が開かれ、結果として電流が流れます。”
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