ICの製造過程、またはウェハ工程では、シリコンの単結晶基板を基盤に、トランジスタ等の電子部品を組み込む下地工程(したじ工程)が行われます。これは、ソースやドレイン、ゲート酸化膜、コンタクトホールの形成過程に該当します。それに続く工程として、電源や接地(グランド)を用いて、これら部品間での接続を可能にする配線構造を構築する上地工程(うわじ工程)またはバックエンドプロセス(BEP)が行われます。’
フロントエンドプロセスとは
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- IC, シリコン単結晶基板, トランジスタ, バックエンドプロセス, 配線構造
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